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4703场效应管参数,保护板mos管,KPE4703A中文资料-KIA MOS管
KPE4703A场效应管漏源电压-30V，漏极电流-8A，导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，出色的RDS(ON)和低栅极电荷，有效降低电路中的开关损耗，提高整体效率；KPE4703A采用先进的高单元密度沟道技术，使得器件能够在尺寸较小的情况下提供卓越的性能，能够在锂电池保护板、智...www.kiaic.com/article/detail/5320.html 2024-11-15
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双极结型晶体管的结构特点,放大作用-KIA MOS管
双极结型晶体管，外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，主要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，www.kiaic.com/article/detail/5319.html 2024-11-15
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mos管做二极管用,场效应管当二极管用-KIA MOS管
由MOS管的结构可以看出，其衬底B与漏极D整好构成一个PN结，这个PN是由于MOS结构天然而成的，如果将MOS管的各个端进行特殊的连接，就可以得到等效的二极管。www.kiaic.com/article/detail/5318.html 2024-11-15
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pd电源mos管,9a900v场效应管,KNF4890A参数中文资料-KIA MOS管
KNF4890A场效应管采用专有新型平面技术，漏源电压900V，漏极电流9.0A，低导通电阻RDS（ON）=1.2Ω，低栅极电荷，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，广泛应用于pc电源pd电源、适配器充电器、SMPS电源、LCD面板电...www.kiaic.com/article/detail/5317.html 2024-11-14
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桥式整流器原理作用,桥式整流电路-KIA MOS管
桥式整流器，一种将交流电转换为直流电的电子元件，是利用二极管的单向导通性进行整流的最常用的电路。桥式整流器由四只整流硅芯片通过桥式连接，外部用绝缘材料封装而成。对于大功率的桥式整流器，还会在绝缘层外添加金属壳以增强散热效果。?www.kiaic.com/article/detail/5316.html 2024-11-14
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串联谐振和并联谐振区别、应用-KIA MOS管
谐振是交流电路的一种特殊工作状态，在含有R、L、C的电路中，当总电流与电压同相时(电路呈电阻性)电路发生谐振。谐振根据不同的电路形式，可分为串联谐振和并联两类。串联谐振在R、L、C串联电路中，当电路中XL=XC时，电路的复阻抗Z=Rj(XL一XC.=R为纯电阻、称为...www.kiaic.com/article/detail/5315.html 2024-11-14
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模电mos管,1200v3a,KND42120A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KND42120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流3A，具备高压和低导通电阻特性，提高系统效率；低导通电阻RDS(ON) 7Ω、低栅极电荷(17.5nC)最小化开关损耗；以及高速的响应能力提高切换速度，符合RoHS标准，快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，适用于适配器、...www.kiaic.com/article/detail/5314.html 2024-11-13
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求电阻的公式,电阻公式有哪些?-KIA MOS管
电阻基本公式：R=ρL/S (其中,ρ表示电阻的电阻率,是由其本身性质决定,L表示电阻的长度,S表示电阻的横截面积)www.kiaic.com/article/detail/5313.html 2024-11-13
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电路中的DVDD,DVSS,AVDD,AVSS区别-KIA MOS管
vdd，digital power input，数字电路电源输入端；vss，gnd或digital gnd，地或数字电路“地”；avdd，analog power input，模拟电路电源输入端；avss，analog gnd，模拟电路“地”；vcc，logic power，逻辑电路电源输入端。www.kiaic.com/article/detail/5312.html 2024-11-13
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40n20参数,充电器专用mos管,KIA40N20AP场效应管现货-KIA MOS管
无线充电器专用MOS管KIA40N20AP漏源击穿电压200V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(ON) =0.08Ω、低栅极电荷（典型值50nC），最小化开关损耗；具有快速切换能力、符合RoHS标准，稳定可靠，40n20场效应管?高效率低损耗，适用于DC-DC转换器、UPS、DC-AC转换器以及逆...www.kiaic.com/article/detail/5311.html 2024-11-12
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通带截止频率和阻带截止频率,计算方法-KIA MOS管
对于低通滤波器，通带截止频率即为所需的截止频率，可以直接选择该频率作为通带截止频率。例如，当需要一个3dB截止频率为10kHz的低通滤波器时，通带截止频率就是10kHz。www.kiaic.com/article/detail/5310.html 2024-11-12
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限幅器,限幅电路工作原理分析-KIA MOS管
限幅器的电路比较简单，主要是将二极管与独立电压源 E 串联组成一个模块单元，利用二极管的正向导通时电压保持约为 0.7V 的特性，将这个模块单元与信号源并联或串联，来去除掉我们不需要的波形部分。www.kiaic.com/article/detail/5309.html 2024-11-12
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40n120参数及代换,光伏逆变器场效应管,KGM40N120AI-KIA MOS管
40n120场效应管漏源电压1200V，漏极电流40A，具备高频、高温、高压特性，低VCE（sat），降低开关损耗；快速切换、高坚固性确保电路高效稳定；KGM40N120AI专为太阳能光伏逆变器、UPS电源、储能电源等应用设计，适合用于需要低功耗和高稳定性的电路中；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5308.html 2024-11-11
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栅极电压和漏极电压,mos管栅极和漏极-KIA MOS管
栅极电压（Vgs）：栅极电压是指施加在栅极与源极之间的电压。该电压用于控制MOS管的导通与截止。当Vgs大于MOS管的阈值电压（Vth）时，MOS管导通；当Vgs小于或等于Vth时，MOS管截止。www.kiaic.com/article/detail/5307.html 2024-11-11